时间：2024年11月14日（周四）下午14:00
地点：12教203
交流报告一
报告题目：表面等离激元超材料吸收器的设计及其应用研究
报告人：陈艳 博士
报告摘要：超材料因拥有许多自然材料所不具有的新奇电磁特性，在电磁隐身、传感器、光学天线以及电磁波的完美吸收等领域得到广泛的应用。利用等离激元结构所设计出的超材料，能够克服光学衍射极限，在亚波长尺度上实现对光场的任意调控。基于等离激元超材料的完美吸收器作为超材料的一个研究热点，极大地促进了电磁波与材料之间的相互作用，在太阳能电池、隐身衣、等离激元传感器、分子探测器等方面表现出巨大的发展前景。相比于传统的吸波器件，等离激元超材料吸收器具有吸收强、厚度薄、质量轻以及材料电磁参数可设计等优点，但在实际应用设计和材料加工方面仍存在着品质因数低、结构复杂，带宽调制性能较差以及整体功能集成难度较高等问题。本报告将对课题组近年来在超材料吸收器方面的研究进展进行简要介绍。主要包括太阳能的收集与利用、光学传感等方面。
交流报告二
报告题目：多通道窄带滤光片制备中光刻工艺的优化研究
报告人：何文清（在读硕士研究生）
报告摘要：本文报告了多通道窄带滤光片制备中光刻工艺的优化研究。多通道窄带滤光片因其能够精确分离不同波长光信号，广泛应用于光谱成像、光谱分析及高级视觉感知系统。本文基于多通道窄带滤光片的关键应用需求，着重探讨了采用Lift-Off工艺制备过程中的优化措施。首先，通过优化光刻胶的厚度及其均匀性，实现了对滤光片通道尺寸的精确控制。随后，在烘烤工艺中引入真空吸附条件，有效减少了基底翘曲，改善了光刻胶的厚度均匀性。曝光工艺优化方面，通过选取合适的曝光方式和曝光时间，获得了高分辨率的图形效果。最后，倒角优化通过引入硬烘步骤，提升了光刻胶的结构稳定性与附着力，确保膜层更紧密地贴合内壁。综合而言，本文的光刻工艺优化显著提升了滤光片微米级通道的尺寸控制精度及均匀性，进一步推动了多通道窄带滤光片的高质量制备。
交流报告三
报告题目：无刷直流电机控制算法开环FOC简单介绍
报告人：刘耀恒（在读硕士研究生）
报告摘要：FOC（Field-oriented Control），也叫矢量控制，是一种控制三相电机的技术。FOC技术起源于上世纪70年代，由德国西门子公司的F. Blaschke提出。其基本思想是模仿直流电机的磁场定向方式，通过坐标变换将交流电机的定子电流分解为励磁分量和转矩分量，分别进行控制，从而获得类似于直流电机的工作特性。FOC的核心思想是通过调整输出电压的大小及角度，来精确控制电机的磁场大小和方向，从而实现对电机转矩和转速的高效控制。在控制过程中，FOC将三相输出电流和电压以矢量形式表示，所以叫作矢量控制。
交流报告四
报告题目：基于TGV技术的玻璃结构加工
报告人：艾乐（在读硕士研究生）
报告摘要：TGV （Through glass via）技术也叫通孔玻璃技术与传统的硅基转接板相比，具有优异高频电学特性、成本低、工艺流程简单、机械稳定性强等应用优势作为一种可能替代硅基转接板的材料，玻璃通孔(TGV)转接板因其众多优势正在成为国内外半导体企业和科研院所的研究热点。本次汇报主要从工艺角度出发介绍TGV技术的基本工艺流程、激光改性机理和刻蚀工艺选择，简要对比了皮秒激光和飞秒激光加工效果和酸碱腐蚀工艺效果，对实际工艺流程中激光设备选择和刻蚀溶液选择具有指导意义。最后，简单展示一些微结构制备的实际加工效果。
交流报告五
报告题目：光刻技术各制程的原理研究
报告人：王伟丽（在读硕士研究生）
报告摘要：光刻技术在芯片制造中的兴起是现代半导体工业发展历程中的重要阶段，该技术的原理和应用方法在制造微细结构方面显示出了巨大的潜力，使得它成为了制造微小电路和芯片的理想选择。该工艺是通过将光敏感材料（光刻胶）覆盖在基片表面，然后使用光刻机将预定图案的光投影到光刻胶上，形成特定的图案，这个过程的精确性和可重复性决定了结构的精度和性能。我课题研究的方向是将光刻技术与传统镀膜技术相结合，开发特定需求的图案化微区分光产品，其中光刻是实现分光性能至关重要的一环。本次汇报将结合工业生产过程中的实践经验，对光刻制程的基本原理进行分析研究，其中包括HMDS疏水性研究，光刻胶曝光过程中的解、交联反应，以及PEB对驻波反应的影响等。
交流报告六
报告题目：基于原子层沉积技术的光学薄膜表面微结构生长
报告人：李美颖（在读硕士研究生）
报告摘要：半导体产品制造需要经过数百道工艺，其中，薄膜沉积、光刻及刻蚀是半导体制造的三大核心步骤，本次报告主要涉及到薄膜沉积技术，薄膜沉积的技术包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）。随着半导体产业不断发展，器件的小型化作为一种趋势致使特征尺寸更加细微。然而，传统的沉积技术（PVD、CVD）可能已经无法完全适应这一发展趋势，而ALD技术凭借沉积薄膜厚度的高度可控性、优异的均匀性和三维保形性，在半导体先进制程应用领域彰显优势；ALD技术是一种将物质以单原子膜的形式逐层镀在基底表面的方法，能够实现纳米量级超薄膜的沉积，可以细分为TALD、PEALD、SALD等，特别适合复杂形貌、高深宽比沟槽表面的薄膜沉积。
